TSMC ו-ARM עובדות יחדיו לצורך פיתוח ומימוש הליך ייצור 7nm FinFET

מפעל ייצור השבבים של TSMC בטיוואן מפעל ייצור השבבים של TSMC בטיוואן. מקור תמונה: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd

לאחר שיתוף פעולה רחב היקף בפיתוח תהליכי הייצור בגודל 10nm ו-16nm, ענקית השבבים הטיוואנית TSMC וכן חברת ARM משתפות פעולה בימים אלו על מנת לפתח ולממש תהליך ייצור חדשני ומתקדם מסוג 7nm FinFET, כך מסרו השתיים לפני מספר ימים.

הצצה לאחור

על פי הודעת החברות, השבבים שיגיעו בתהליך ייצור בגודל 7nm יתמקדו בצריכת חשמל נמוכה וביצועים גבוהים במיוחד. בשלב זה נראה שהפיתוח הראשוני צפוי להסתיים כבר בשנה הבאה, אם כי יכולות הייצור ההמוני לשבבים בתהליך זה יהפכו זמינות אך ורק במהלך 2018.

על פי דיווחים קודמים, דור האייפונים הבא, iPhone 7 ו-iPhone 7 Plus, צפוי לבצע  שימוש במעבד מסוג Apple A10 שעשוי להיות מיוצר בתהליך 10nm ע”י TSMC. בהתאם לכך, ובמקרה שבו שיתוף הפעולה בין החברה מקופרטינו ליצרנית השבבים ימשך כסידרו, אנו עשויים לראות את דגמי האייפון שיוכרזו ב-2018, הם iPhone 8 ו-iPhone 8 Plus, מגיעים עם מעבד Apple A12 בתהליך הייצור 7nm FinFET.

כיום, מכשירי הדגל iPhone 6S ו-iPhone 6S Plus מגיעים כשבליבם פועם מעבד Apple A9 המיוצר על-ידי סמסונג בתהליך ייצור 14nm וע”י TSMC בתהליך 16nm, מה שהוביל להבדלי ביצועים מינימליים, מהם יצא שבב העיבוד של TSMC כשידו על העליונה.


חלק מהפוסטים באתר כוללים קישורי תכניות שותפים, עבורם נקבל עמלה עם ביצוע רכישה בפועל של מוצרים. עמלה זו לא מייקרת את העלות הסופית של המוצרים עבורכם.

הסקירות והתכנים המופיעים באתר מהווים המלצה בלבד, וכך יש להתייחס אליהם. כל המחירים המופיעים באתר נכונים ליום הפרסום בלבד והאחריות לקניית מוצר או שירות כזה או אחר מוטלת עליך בלבד – השימוש באתר בהתאם לתנאי השימוש והפרטיות.

השוואת מפרטים